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电子元器件详细资料 » IC[25955] » NP82N04MDG-S18-AY
型号:NP82N04MDG-S18-AY类别:FET - 单制造商:Renesas Electronics America
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH TO-220
系列-
制造商Renesas Electronics America
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C82A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.2 毫欧 @ 41A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs150nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds9000pF @ 25V
功率_最大1.8W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220-3
包装管件

供应商

深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市中新永盛科技有限公司朱小姐0755-83242762 83211840
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
深圳市华斯顿科技有限公司销售部1部0755-83777607/83777708/82799993
深圳市向鸿伟业电子有限公司李0755-82561519 0755-82567969 18928435545
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市煌盛达科技有限公司黄086-0755-89367839
北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

NP82N04MDG-S18-AY相关型号

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